UTT36N10参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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40A,100V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度
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电压VDSS
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100V
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电流ID
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36A
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电流IDM
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144A
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雪崩能力EAS
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55mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO220F/ TO251/ TO252
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替换型号
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/
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UTT36N10概述
该UTC UTT36N10是N沟道MOS场效应晶体管。它使用UTC先进的技术,提供客户以最小开态电阻和高的开关速度等该UTC UTT36N10适用于高电流开关应用和汽车应用。