UTT50N06参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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50A，60V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、高开关速度、改进dv/ dt能力
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电压VDSS
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60V
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电流ID
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50A
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电流IDM
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200A
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雪崩能力EAS
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120mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO220F/ TO252/ DFN-8
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替换型号
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/
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UTT50N06概述
UTT50N06是UTC使用N沟道功率MOSFETUTC的先进技术，为客户提供一个最低通态电阻和出色的开关性能。该UTC UTT50N06在低功率一般应用开关电源电器和电子镇流器。
UTT50N06引脚图/引脚功能
UTT50N06典型应用电路图
