UTT80N06参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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60V，80A N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度、改进dv/ dt能力、低CRSS、低栅极电荷
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电压VDSS
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60V
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电流ID
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80A
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电流IDM
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320A
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雪崩能力EAS
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200mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252/ TO263/ SOP8/ TO220
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替换型号
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/
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UTT80N06概述
UTT80N06是UTC一个N沟道增强型电源UTC采用的先进技术，为客户提供MOSFET以最小的导通电阻和高开关速度。 它可以也承受雪崩和换向高能时脉模式。该UTC UTT80N06适合有源功率因数校正，高效开关电源以及电子灯基于半桥拓扑，镇流器等。
UTT80N06引脚图/引脚功能
UTT80N06典型应用电路图
