3N90Z参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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3A,900V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关能力
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电压VDSS
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900V
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电流ID
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3A
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电流IDM
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10A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F1
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替换型号
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/
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3N90Z概述
UTC 3N90Z提供了极好的RDS(ON),低栅极充电和操作具有低栅极电压,改进的dv / dt能力,高耐用性。该装置是适合用作负载开关或PWM应用。