12N25V参数
制造商
|
台湾友顺科技集团公司
|
产品种类
|
12A,250V N沟道功率MOSFET
|
产品特性
|
高开关速度、100%雪崩测试
|
电压VDSS
|
250V
|
电流ID
|
12A
|
电流IDM
|
48A
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
封装
|
TO220/ TO252
|
替换型号
|
/
|
12N25V概述
12N25V是UTC使用N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术,为客户提供平面条形和DMOS技术。这项技术专注于允许最低通态电阻和出色的开关性能。 它也能承受高能量脉冲雪崩和换流模式。该UTC12N25V以电子镇流器普遍应用基于半桥拓扑结构和高效的开关模式电源。
12N25V引脚图/引脚功能

12N25V典型应用电路图
