UTT6N10Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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100V，6A N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度、低CRSS、低栅极电荷
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电压VDSS
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100V
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电流ID
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6A
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电流IDM
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24A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252/ SOT223
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替换型号
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/
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UTT6N10Z概述
UTT6N10Z是UTC一个N沟道增强型电源场效应管，它采用UTC的先进技术，为客户提供最低的通态电阻，高开关速度和超低栅极电荷。与UTC UTT6N10Z通常在DC-DC转换使用。
UTT6N10Z引脚图/引脚功能
