7N80Z参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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7A,800V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度、100%雪崩测试
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电压VDSS
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800V
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电流ID
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7A
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电流IDM
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26.4A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F1
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替换型号
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/
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7N80Z概述
UTC 7N80Z是使用N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术,为客户提供平面条形和DMOS技术。这项技术专注于允许最低通态电阻和出色的开关性能。 它也能承受高能量脉冲雪崩和换流模式。该UTC7N80Z在高效率开关普遍应用模式电源。