UF640-P参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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18A,200V,0.18OHM,N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力、高耐用性
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电压VDSS
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200V
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电流ID
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18A
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电流IDM
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72A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220
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替换型号
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/
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UF640-P概述
这些种类的n沟道功率MOSFET场效应晶体管具有低导通功率损耗,高投入阻抗和高开关速度,线性传输的特性,所以可以在各种电力变换的使用应用程序。该UF640-P适用于谐振和PWM变换器拓扑。