6N60-C参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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6.2A,600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力、改进的dv / dt能力,高耐用性
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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6.2A
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电流IDM
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24.8A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F1/TO220F2/TO251S/TO252
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替换型号
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/
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6N60-C概述
6N60-C是UTC一种高电压功率MOSFET,并设计成具有更好的特性,如快速开关时间,低栅极电荷,低通态电阻和具有较高坚固耐用的特点雪崩。这个功率MOSFET通常在高速开关应用中开关电源使用耗材和适配器。