2N70-M参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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2A,700V,N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力
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电压VDSS
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700V
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电流ID
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2A
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电流IDM
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8A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO251
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替换型号
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/
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2N70-M概述
2N70-M是UTC设计成具有高电压MOSFET更好的特性,如快速切换时间,低栅极电荷低通态电阻和高耐用雪崩特点。这个功率MOSFET通常在高速开关使用在电源应用中,PWM马达控制,高效DC到DC转换器和桥接电路。