4N70-E参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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4.4A,700V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低反向传输电容、快速开关能力、改进的dv / dt能力,高耐用性
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电压VDSS
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700V
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电流ID
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4.4A
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电流IDM
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17.6A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-220F1/TO-220F2
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替换型号
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/
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4N70-E概述
4N70-E是UTC一款高电压功率MOSFET,并设计成具有更好的特性,如快速开关时间,低栅极电荷,低通态电阻和高耐用雪崩。这种高速开关功率MOSFET通常电源供应器,PWM马达控制,高效的DC所使用DC转换器和桥接电路。