F5N50参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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5A，500V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度
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电压VDSS
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500V
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电流ID
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5A
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电流IDM
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20A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F/ TO252
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替换型号
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/
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F5N50概述
UTC F5N50是一个N沟道功率MOSFET采用UTC的先进技术，为客户提供DMOS，平面条形技术。这项技术是专为满足通态电阻和完善最低要求开关性能。它也能承受高能量脉冲雪崩和通信模式。与UTC F5N50可以在应用中，例如作为活性被用于功率因数校正，高效率的开关模式功率基于半桥拓扑用品，电子镇流器。
F5N50引脚图/引脚功能
F5N50典型应用电路图
