10N50K-MT参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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10A，500V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度
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电压VDSS
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500V
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电流ID
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1A
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电流IDM
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40A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F2
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替换型号
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/
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10N50K-MT概述
UTC 10N50K-MT是N沟道型功率MOSFET的UTC采用的先进技术，为客户提供平面条纹和DMOS技术。该技术允许的最小导通电阻和出色的开关性能。它也可以承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。该UTC10N50K-MT是高效率的普遍应用开关电源，有源功率因数校正和基于半桥拓扑电子镇流器。
10N50K-MT引脚图/引脚功能
10N50K-MT典型应用电路图
