12N60K-MT参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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12A，600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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快速切换能力、改进的dv / dt能力，高耐用性
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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12A
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电流IDM
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48A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO220F1/ TO220F2/ TO251/ TO252
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替换型号
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12N60K-MT概述
UTC 12N60K-MT是N沟道增强型它们产生的功率场效应晶体管（MOSFET）UTC采用专有的，平面条形，DMOS技术。这些器件适用于高效率开关模式电源。为了最大限度地减少通态电阻，提供优越的开关性能，经受住了高能量脉冲雪崩和减刑模式下的先进技术有而特别定制的。
12N60K-MT引脚图/引脚功能
12N60K-MT典型应用电路图
