1N50A参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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1.0A，500V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度
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电压VDSS
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500V
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电流ID
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1A
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电流IDM
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4A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-251
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代换型号
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/
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1N50A概述
1N50A是UTC使用N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术，为客户提供平面条形和DMOS技术。该技术允许在国家最低电阻和出色的开关性能。它也能承受在雪崩和减刑模式高能量脉冲。该UTC1N50A在高效率开关一般应用式电源，有源功率因数校正和电子基于半桥拓扑灯镇流器。
1N50A引脚图/引脚功能
1N50A典型应用电路图
