1N50K-TA参数
制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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1.3A,500V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度
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电压VDSS
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500V
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电流ID
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1.3A
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电流IDM
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5A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOT223/TO251/TO92
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代换型号
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/
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1N50K-TA概述
UTC1N50K-TA是N沟道型功率MOSFET的UTC采用的先进技术,为客户提供平面条纹和DMOS技术。该技术允许的最小导通电阻和出色的开关性能。它也可以承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。该UTC1N50K-TA是高效率的开关一般用于式电源,有源功率因数校正和电子基于半桥拓扑灯镇流器。