HM3N10PR参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻低
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漏源电压VDS
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100V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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3A
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电流IDM
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8A
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导通内阻RDS
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210mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOT-89
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替换型号
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/
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HM3N10PR概述
HM3N10PR采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。
HM3N10PR引脚图/引脚功能
HM3N10PR典型应用电路图
HM3N10PR应用领域
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
