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HM6N10/R/PR

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1000

【封装】:T0-92/SOT-223/SOT-89

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制造商: 深圳华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: T0-92/SOT-223/SOT-89 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型功率MOSFET

HM6N10/R/PR参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
   N沟道增强型功率MOSFET
   产品特性
  高密度电池设计超低导通电阻低
   漏源电压VDS
   100V
  栅源电压VGS
  20V
   电流ID
   6A
   电流IDM
   24A
   导通内阻RDS
   110mΩ
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   TO92/ SOT-223/ SOT89
   替换型号
   STP6N10/UTC6N10/AOH3106/AOH3110/IRLL110/SiHLL110/IRFL110/SiHFL110/IRFL4310


HM6N10/R/PR概述


 

HM6N10PR采用先进的沟槽技术和设计,提供优良的R DS(ON)低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。
 

HM6N10/R/PR引脚图/引脚功能



 
HM6N10/R/PR引脚图/引脚功能
 

HM6N10/R/PR典型应用电路图



 
HM6N10/R/PR典型应用电路图
 

HM6N10/R/PR应用领域


 
●  电源开关应用
●  硬开关和高频电路
●  不间断电源
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