HM6N10/R/PR参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻低
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漏源电压VDS
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100V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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6A
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电流IDM
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24A
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导通内阻RDS
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110mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO92/ SOT-223/ SOT89
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替换型号
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STP6N10/UTC6N10/AOH3106/AOH3110/IRLL110/SiHLL110/IRFL110/SiHFL110/IRFL4310
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HM6N10/R/PR概述
HM6N10PR采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。
HM6N10/R/PR引脚图/引脚功能
HM6N10/R/PR典型应用电路图
HM6N10/R/PR应用领域
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
