HM4812参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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双N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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30V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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7A
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电流IDM
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30A
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导通内阻RDS
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25mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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AO4812/AO4800/APM4812/APM4800/ME4812
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HM4812概述
HM4812采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON）和低门charge.This设备适用用作负载开关和PWM应用。无铅产品，表面贴装型封装。
HM4812引脚图/引脚功能
HM4812应用领域
● 负荷开关
● PWM应用
