HM4886E参数
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
产品种类
|
双N沟道增强型功率MOSFET
|
产品特性
|
ESD保护、可靠耐用、高密度电池设计超低导通电阻
|
漏源电压VDS
|
100V
|
栅源电压VGS
|
20V
|
电流ID
|
3.5A
|
电流IDM
|
20A
|
导通内阻RDS
|
85mΩ
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
封装
|
SOP-8
|
替换型号
|
AO4886
|
HM4886E引脚图/引脚功能
![HM4886E引脚图/引脚功能](http://www.icgu.com/file/upload/201609/22/11-02-18-71-1.png)
HM4886E典型应用电路图
![HM4886E典型应用电路图](http://www.icgu.com/file/upload/201609/26/11-10-48-31-1.png)
HM4886E应用
● 同步整流
● 在逆变器系统电源管理