HM9926参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
双N沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高密度电池设计超低导通电阻低
|
|
漏源电压VDS
|
20V
|
|
栅源电压VGS
|
10V
|
|
电流ID
|
5A
|
|
电流IDM
|
24A
|
|
导通内阻RDS
|
23mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
SOP-8
|
|
替换型号
|
AO9926/CEM9926/APM9926/AP9926/AO8822/AO8810
|
HM9926概述
HM9926采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷，充分界定雪崩电压和电流。它可以在各种各样的应用中。
vHM9926引脚图/引脚功能
HM9926典型应用电路图
HM9926应用
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
