HM8205参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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双N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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19.5V
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栅源电压VGS
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10V
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电流ID
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4A
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电流IDM
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16A
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导通内阻RDS
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21mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOT26
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替换型号
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AO8205/CEM8205/APM8205/AP8205
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HM8205应用
● 电池保护
● 负荷开关
● 电源管理
