HM8205A参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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20V双N沟道增强型MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻
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漏源电压VDS
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19.5V
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栅源电压VGS
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10V
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电流ID
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6A
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电流IDM
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25A
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导通内阻RDS
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21mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TSSOP-8
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替换型号
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AO8205A/CEM8205/APM8205/AP8205
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HM8205A概述
HM8205A先进的加工技术高密度电池设计超低导通电阻高功率和电流移交能力适用于锂离子电池组应用。
HM8205A引脚图/引脚功能
