HM8810B参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
双N沟道沟道功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高功率和电流移交能力
|
|
漏源电压VDS
|
20V
|
|
栅源电压VGS
|
12V
|
|
电流ID
|
7A
|
|
电流IDM
|
30A
|
|
导通内阻RDS
|
15mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TSSOP-8
|
|
替换型号
|
AO8808/AO8808A
|
HM8810B概述
HM8810B采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON），低栅极电荷和操作闸电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个负载开关或PWM应用。它是ESD抗议。
HM8810B引脚图/引脚功能
HM8810B应用
● PWM应用
● 负荷开关
