HM4611参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
N型和P沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高功率和电流移交能力
|
|
漏源电压VDS
|
60V/-55V
|
|
栅源电压VGS
|
20V/-20V
|
|
电流ID
|
4.5A/-5A
|
|
电流IDM
|
20A/-25A
|
|
导通内阻RDS
|
45mΩ/64mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
SOP-8
|
|
替换型号
|
AO4611/AO4612/AO4614
|
HM4611概述
该HM4611采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON）和低栅极电荷。互补的MOSFET可被用于形成一个水平移位高侧切换，并为其他应用程序的主机。
HM4611引脚图/引脚功能
