HM6602参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N型和P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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30V/-30V
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栅源电压VGS
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12V/-20V
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电流ID
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5.8A/-4.2A
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电流IDM
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30A/-30A
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导通内阻RDS
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25mΩ/50mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOT23-6
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替换型号
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AO6602/AO6604/SI3552/FDC6333/FDC6327/FDC6420
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HM6602概述
HM6602采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON）和低栅极电荷。该装置是适合用作一个电池保护或在其它。无铅产品，表面贴装封装。
HM6602引脚图/引脚功能
HM6602应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
