HM70P04K参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻低
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漏源电压VDS
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-40V
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栅源电压VGS
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-20V
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电流ID
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-70A
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电流IDM
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-115A
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导通内阻RDS
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7.5mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252
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替换型号
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ME70P04/IPI70P04/AOD403/IRF4905
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HM70P04K概述
该HM70P04K采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。这设备是非常适合用于高电流负载应用。充分界定雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，优秀的包装为良好的散热，特殊工艺技术，高ESD能力。
HM70P04K引脚图/引脚功能
HM70P04K典型应用电路图
HM70P04K应用
● 电源开关
● 在高电流应用负荷开关
● DC / DC转换
