HM15P55K参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
P沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高密度电池设计超低导通电阻低
|
|
漏源电压VDS
|
-55V
|
|
栅源电压VGS
|
-20V
|
|
电流ID
|
-15A
|
|
电流IDM
|
-50A
|
|
导通内阻RDS
|
60mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO252
|
|
替换型号
|
AOD407/IRFR5505/IRFR9024N/IRLR9343
|
HM15P55K概述
HM15P55K采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。充分界定雪崩电压和电流，优秀的包装为良好的散热。
HM15P55K引脚图/引脚功能
HM15P55K典型应用电路图
HM15P55K应用
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● DC-DC转换器
