HM30P55K/I参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻低
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漏源电压VDS
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-55V
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栅源电压VGS
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-20V
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电流ID
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-30A
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电流IDM
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-110A
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导通内阻RDS
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30mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252
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替换型号
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AOD413/SPP3095/IRFR5305/IRFR9024/P1604ED/AP4435GH
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HM30P55K/I概述
HM30P55K/I采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。充分界定雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，优秀的包装为良好的散热。
HM30P55K/I引脚图/引脚功能
HM30P55K/I典型应用电路图
HM30P55K/I应用
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
