HM50P03D参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
P沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高密度电池设计超低导通电阻
|
|
漏源电压VDS
|
-30V
|
|
栅源电压VGS
|
-20V
|
|
电流ID
|
-50A
|
|
电流IDM
|
-70A
|
|
导通内阻RDS
|
7mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
DFN5*6-8
|
|
替换型号
|
AON6405/AON6435/IRFH9310/ME7609D
|
HM50P03D概述
HM50P03D采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。充分界定雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，优秀的包装为良好的散热，特殊工艺技术，高ESD能力。
HM50P03D典型应用电路图
HM50P03D应用
● 电池和负载开关
