HM25P06K参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻
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漏源电压VDS
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-60V
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栅源电压VGS
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-20V
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电流ID
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-25A
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电流IDM
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-60A
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导通内阻RDS
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39mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252
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替换型号
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AOD407/AOD409
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HM25P06K概述
HM25P06K采用先进的沟槽技术和设计提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。这设备非常适用于高电流负载的应用程序。充分界定雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，优秀的包装为良好的散热。
HM25P06K引脚图/引脚功能
HM25P06K典型应用电路图
HM25P06K应用
● 高侧开关全桥变换器
● 直流/直流转换器，用于LCD显示器
