HM70N80参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
N沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高密度电池设计、超低导通电阻
|
|
漏源电压VDS
|
68V
|
|
栅源电压VGS
|
25V
|
|
电流ID
|
80A
|
|
电流IDM
|
300A
|
|
导通内阻RDS
|
9mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO220
|
|
替换型号
|
STP75NF75/IRF1010E/2SK4145/AOT430/IRF3607/LTP75N08
|
HM70N80引脚图/引脚功能
HM70N80典型应用电路图
HM70N80应用
● 逆变器系统电源管理
