HM70N80A参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
N沟道沟槽功率MOSFET
|
|
产品特性
|
超低导通电阻、高UIS
|
|
漏源电压VDS
|
70V
|
|
栅源电压VGS
|
25V
|
|
电流ID
|
80A
|
|
电流IDM
|
320A
|
|
导通内阻RDS
|
5.5mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO220
|
|
替换型号
|
STP75NF75/IRF1010E/2SK4145/AOT430/IRF3607/LTP75N08
|
HM70N80A概述
HM70N80A是N沟道MOS场效应晶体管专为大电流开关应用而设计。 坚固的E AS能力和超低R DS（ON）适用于PWM，负载开关特别适用于电子自行车控制器应用。
HM70N80A引脚图/引脚功能
HM70N80A典型应用电路图
HM70N80A应用
● 48V电动自行车控制器应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
