HM3207B参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
N沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
超低Rdson的高密度电池设计、高ESD、高EAS
|
|
漏源电压VDS
|
70V
|
|
栅源电压VGS
|
25V
|
|
电流ID
|
180A
|
|
电流IDM
|
720A
|
|
导通内阻RDS
|
2.7mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO220
|
|
替换型号
|
IRF3207/IRF2907/IRF3077/RU190N08/AOT270/AOT472/AOT280/AOT480
|
HM3207B概述
HM3207B采用先进的沟槽技术设计，以提供具有低栅极电荷的优秀的R DS（ON）。该器件适用于PWM，负载开关和通用应用。高ESD能力的特殊工艺技术，专为变流器和电源控制而设计，超低Rdson的高密度电池设计，完全表征的雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，高EAS，优良的封装，散热性好。
HM3207B引脚图/引脚功能
HM3207B典型应用电路图
HM3207B应用
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
