HM3808参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道沟槽功率MOSFET
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产品特性
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超低导通电阻、可靠耐用
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漏源电压VDS
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80V
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栅源电压VGS
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25V
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电流ID
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150A
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电流IDM
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600A
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导通内阻RDS
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3.6mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220
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替换型号
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IRF3808/AOT280
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HM3808概述
HM3808是N沟道MOS场效应晶体管专为大电流开关应用而设计。 坚固的E AS能力和超低R DS（ON）适用于PWM，负载开关特别适用于电子自行车控制器应用。
HM3808引脚图/引脚功能
HM3808典型应用电路图
HM3808应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
