HM4030参数
制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道沟槽功率MOSFET
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产品特性
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超低导通电阻、高UIS
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漏源电压VDS
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100V
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栅源电压VGS
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25V
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电流ID
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118A
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电流IDM
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472A
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导通内阻RDS
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6.8mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220
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替换型号
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IRLB4030/IRFB4310/AOT1100/AOT290/AOT410
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HM4030概述
HM4030是N沟道MOS场效应晶体管专为大电流开关应用而设计。 坚固的E AS能力和超低R DS(ON)适用于PWM,负载开关特别适用于电子自行车控制器应用,专为电动自行车控制器应用而设计。
HM4030引脚图/引脚功能
HM4030典型应用电路图
HM4030应用
● 72V电动自行车控制器应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源