HM25N10K参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道沟槽功率MOSFET
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产品特性
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超低导通电阻、可靠耐用
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漏源电压VDS
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100V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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25A
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电流IDM
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75A
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导通内阻RDS
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33mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220
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替换型号
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UTC25N10/STP25N10/UTC19N10/SSP25N10/SPB25N10/IRFR120N/IRFR3410/AOD478
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HM25N10K引脚图/引脚功能
HM25N10K典型应用电路图
HM25N10K应用
● 同步整流
● 逆变器系统电源管理
