HM30N10D参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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超低Rdson的高密度电池设计、高ESD、高EAS
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漏源电压VDS
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100V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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30A
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电流IDM
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70A
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导通内阻RDS
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28mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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DFN5*6-8
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替换型号
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AON6482/AON6484/AON6486/AON6452/IRFH5053/IRLH5030/IRFH5010/IRFH5110/IRFH5210/IRFH7110/SiR698DP/Si7454DDP/Si7456DDP/SM1A24NSKP
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HM30N10D概述
HM30N10D采用先进的沟槽技术设计，以提供具有低栅极电荷的优秀的R DS（ON）。它可用于各种应用。高ESD能力的特殊工艺技术，专为变流器和电源控制而设计，超低Rdson的高密度电池设计，完全表征的雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，高EAS，优良的封装，散热性好。
HM30N10D典型应用电路图
HM30N10D应用
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
