HM60N10D参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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超低Rdson的高密度电池设计、高ESD、高EAS
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漏源电压VDS
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100V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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60A
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电流IDM
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80A
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导通内阻RDS
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12mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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DFN5*6-8
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替换型号
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AON6298/AON6450/SiR878ADP/SiR876ADP/SiR882ADP/SiR846ADP/SiR804DP/SiR870ADP/SiJ470DP/SM1A06NSKP
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HM60N10D概述
HM60N10D采用先进的沟槽技术设计，以提供具有低栅极电荷的优秀的R DS（ON）。该器件适用于PWM，负载开关和通用应用。高ESD能力的特殊工艺技术，专为变流器和电源控制而设计，超低Rdson的高密度电池设计，完全表征的雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，高EAS，优良的封装，散热性好。
HM60N10D典型应用电路图
HM60N10D应用
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
