HM1N60参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型场效应晶体管
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产品特性
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低栅极电荷、低 Crss、高抗 dv/dt 能力
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漏源电压VDS
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600V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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1.3A
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电流IDM
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5A
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导通内阻RDS
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8.5Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-92/TO-251/TO-252
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替换型号
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FQP1N60/FQN1N60/UTC1N60/STP1N60
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HM1N60引脚图/引脚功能
HM1N60应用
● 高频开关电源
● 电子镇流器
