HM12N60参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型场效应晶体管
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产品特性
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低栅极电荷、低 Crss、高抗 dv/dt 能力
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漏源电压VDS
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600V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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12A
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电流IDM
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48A
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导通内阻RDS
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0.65Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-220/TO-220F
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替换型号
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FQP12N60/FQN12N60/UTC12N60/STP12N60
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HM12N60概述
HM12N60该功率MOSFET采用SL半导体先进的平面条DMOS技术。这种先进的技术已经特别定制最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并承受高能脉冲雪崩和换向模式。 这些设备都很好适用于高效率开关电源，基于半桥的有源功率因数校正拓扑。
HM12N60引脚图/引脚功能
HM12N60应用
● 高频开关电源
● 电子镇流器
● UPS 电源
