HM4N65参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型场效应晶体管
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产品特性
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低栅极电荷、高耐用性、提高dv/dt能力
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漏源电压VDS
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650V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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4A
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电流IDM
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16A
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导通内阻RDS
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3Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-220/TO-220F/TO252
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替换型号
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FQP4N65/FQN4N65/UTC4N65/STP4N65
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HM4N65概述
HM4N65该功率MOSFET采用SL半导体先进的平面条DMOS技术。这种先进的技术已经特别定制最小化状态阻抗，提供卓越的切换性能，并承受高能脉冲雪崩和换向模式。 这些设备都很好适合低电压应用作为DC / DC转换器和高效率开关电源管理在便携式和电池操作的产品。
HM4N65引脚图/引脚功能
