HM9N70参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型MOSFET
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产品特性
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低密度单元设计、可靠耐用
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漏源电压VDS
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700V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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9A
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电流IDM
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36A
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导通内阻RDS
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1.2Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-220/TO-220F/TO-251
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替换型号
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FQP9N70/FQA9N70/FQB9N70/SVF9N70/WFW9N70/UTC9N70
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HM9N70引脚图/引脚功能
HM9N70典型应用电路图
HM9N70应用
● 同步整流
● 逆变器系统电源管理
