HM3N90I参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低导通电阻、低栅极电荷、低反向传输电容
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漏源电压VDS
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900V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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3A
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电流IDM
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12A
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导通内阻RDS
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5Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-251
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替换型号
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FQP3N90/FQA3N90/UTC3N90/STP3N90
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HM3N90I概述
HM3N90I，硅N沟道增强型VDMOSFET，是通过自对准平面技术减少传导损耗，提高开关性能和提高雪崩能量。 该晶体管可以用于各种电源开关电路系统小型化更高的效率。 包装形式为TO-220AB，符合符合RoHS标准。
HM3N90I引脚图/引脚功能
HM3N90I典型应用电路图
HM3N90I应用
● 汽车、直流电机控制和D类放大器
