HM730 HM730F参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
400V N沟道MOSFET
|
|
产品特性
|
低栅极电荷、低 Crss、高抗 dv/dt 能力
|
|
漏源电压VDS
|
400V
|
|
栅源电压VGS
|
30V
|
|
电流ID
|
5.5A
|
|
电流IDM
|
22A
|
|
导通内阻RDS
|
1Ω
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO-220/ TO-220F
|
|
替换型号
|
IRF730
|
HM730 HM730F概述
HM730 /F该功率MOSFET采用SL半导体先进的平面条DMOS技术。这种先进的技术已经特别定制最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并承受高能脉冲雪崩和换向模式。 这些设备都很好适用于高效率开关电源，基于半桥的有源功率因数校正拓扑。
HM730 HM730F引脚图/引脚功能
