HM630参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型MOSFET
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产品特性
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低密度单元设计、可靠耐用
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漏源电压VDS
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200V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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9A
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电流IDM
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36A
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导通内阻RDS
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0.4Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-220
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替换型号
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IRF630
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HM630引脚图/引脚功能
HM630典型应用电路图
HM630应用
● 同步整流
● 逆变器系统电源管理
