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HM640

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1000

【封装】:TO-220

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制造商: 深圳华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: TO-220 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型VDMOSFET

HM640参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
   N沟道增强型VDMOSFET
   产品特性
  E低导通电阻、低栅极电荷、低反向传输电容
   漏源电压VDS
   200V
  栅源电压VGS
  20V
   电流ID
   9A
   电流IDM
   36A
   导通内阻RDS
   0.4Ω
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   TO220
   替换型号
   IRF640

HM640概述


 

HM640,硅N沟道增强型VDMOSFET,是通过自对准平面技术减少传导损耗,提高开关性能和提高雪崩能量。 该晶体管可以用于各种电源开关电路系统小型化更高的效率。 包装形式为SOT-220AB,符合符合RoHS标准。
 

HM640引脚图/引脚功能


 
HM640引脚图/引脚功能
 

HM640典型应用电路图 


 
HM640典型应用电路图
 

HM640应用

●  CRT,电视/监视器和照明



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