HM5001参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N通道功率MOSFET（耗尽模式）
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产品特性
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ESD改进能力、耗尽模式、dv / dt额定值
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漏源电压VDS
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600V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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30mA
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电流IDM
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120mA
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导通内阻RDS
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350Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOT-23
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替换型号
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DMZ6005
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HM5001引脚图/引脚功能
