HM20N120AB/TB参数
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
产品种类
|
IGBT
|
产品特性
|
高速切换、软电流关断波形
|
沟道
|
N-IGBT
|
Vces(Max)
|
1200V
|
Vges
|
30V
|
Vge(th)
|
5V
|
Ic
|
20A
|
Icm(Max)
|
600A
|
Pd(Max)
|
160W
|
工作温度
|
-40°C~ +85°C
|
封装
|
TO3P/ TO-247
|
替换型号
|
FGA20N120/IHW20T120/IHW20N120/H20N1202/GT40Q321/SKW20N120/JHT20T120/KGH20N120/TGA20N120/TGH20N120
|
HM20N120AB/TB概述
HM20N120AB/TB是KEDA PT IGBT为应用提供较低的损耗和更高的能量效率,如IH(感应加热),和其他软交换应用。