HM30N120T参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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IGBT
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产品特性
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高速切换、软电流关断波形
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沟道
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N-IGBT
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Vces(Max)
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1200V
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Vges
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30V
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Vge(th)
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5V
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Ic
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28A
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Icm(Max)
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240A
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Pd(Max)
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300W
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工作温度
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-40°C~ +85°C
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封装
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TO-247
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替换型号
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FGA30N120/IHW30T120/IHW30N120/H30N1202/GT40Q322/GT40Q323/SKW30N120/G4PH50UD/
GPQ25101/G40N150D/SQB35JA/KGH30N120/TGA30N120/TGH30N120 |
HM30N120T概述
HM30N120T是IGBT提供更低的损耗和更高的能量效率用于电机驱动器，UPS，通用逆变器等软开关应用。
HM30N120T引脚图/引脚功能
